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| Artikel-Nr.: 1331-3782489 Herst.-Nr.: SIDR104AEP-T1-RE3 EAN/GTIN: k.A. |
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| Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0049 ohmProduktpalette: TrenchFET Gen IV MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 8 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 90.5 ABetriebstemperatur, max.: 175 °CBauform - Transistor: PowerPAK SO Drain-Source-Spannung Vds: 100 VVerlustleistung: 120 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 VSVHC: No SVHC (08-Jul-2021) RoHS konform: Ja |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet vishay, smd transistor, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SIDR104AEP-T1-RE3, 3782489, 378-2489 |
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