Vishay SI2301CDS-T1-GE3 MOSFET 1 P-Kanal 1.6 W SOT-23-3

Vishay SI2301CDS-T1-GE3 MOSFET 1 P-Kanal 1.6 W SOT-23-3

MOSFET

Technische Daten:
Abbruchspannung U(BR) (DSS): 20 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): P-Kanal · Betriebstemperatur (max.): +150 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · C(ISS): 405 pF · C(ISS) Referenz-Spannung: 10 V · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23-3 · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): VIS · I(d): 3.1 A · Leistung (max) P(TOT): 1.6 W · Montageart: Oberflächenmontage · Q(G): 10 nC · Q(G) Referenz-Spannung: 4.5 V · R(DS)(on): 112 mΩ · R(DS)(on) Referenz-Spannung: 4.5 V · R(DS)(on) Referenz-Strom: 2.8 A · Serie (Halbleiter): TrenchFET® · Transistor-Merkmal: Standard · U(DSS): 20 V · U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 250 µA · U(GS)(th) max.: 1 V