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Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 200 V, 30 A, TO-247, IRFP250N


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Produktinformationen:
Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 200 V, 30 A, TO-247, IRFP250N
Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 200 V, 30 A, TO-247, IRFP250N
Artikel-Nr.:
     4503-24S3301
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IRFP250NPBF
EAN/GTIN:
     4099879033390
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
Feldeffekttransistor
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
MOSFETs, IRFP250NPBF, Infineon Technologies Der IRFP250NPBF ist ein Leistungs-MOSFET-Gleichrichter, der mit Hilfe fortschrittlicher Verarbeitungstechniken einen extrem niedrigen Durchlasswiderstand pro Siliziumfläche erreicht. Features * Fortschrittliche Prozesstechnologie * Einfaches Parallelisieren * Dynamischer dv/dt-Wert * Schnelles Umschalten * Einfache Antriebsanforderungen Anwendungen * DC-Motoren * Wechselrichter * SMPS * Beleuchtung * Lastschalter * Batteriebetriebene Anwendungen
Weitere Informationen:
Ausführung:
N-Kanal
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V:
75 mΩ
Gate Charge Qg @10V (nC):
123 nC
Gehäuse:
TO-247
max. Spannung:
200 V
max. Strom:
30 A
max. Temperatur:
175 °C
min. Temperatur:
-55 °C
Montage:
THT
Verlustleistung W (DC):
214 W
Ursprungsland:
MX
Gewicht:
0.00715 kg
SVHC frei:
Ja
RoHS konform:
Ja
Weitere Suchbegriffe: Schalttransistor, Transistor, mosfet infineon, feldeffekttransistor, transistor to-247, Halbleiter, Semiconductor, Aktive Bauelemente, FET
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