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Vishay N-Kanal TrenchFET Power MOSFET, 60 V, 40 A, PowerPAK 1212-8, SIS862DN-T1-


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Vishay N-Kanal TrenchFET Power MOSFET, 60 V, 40 A, PowerPAK 1212-8, SIS862DN-T1-
Vishay N-Kanal TrenchFET Power MOSFET, 60 V, 40 A, PowerPAK 1212-8, SIS862DN-T1-
Artikel-Nr.:
     4503-24S8242
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SIS862DN-T1-GE3
EAN/GTIN:
     4099879033765
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
Feldeffekttransistor
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet vishay
N-Channel MOSFETs Typ Vishay Siliconix Si. Technische Merkmale (Typ, Spannung (VDS), Widerstand (RDSON), Strom ID (TC = 25°C), Gate-Ladung Qg, Gehäuse): SiS862DN, 60 V, 8,5 mOhm, 40 A, 8,7 nC, PowerPAK 1212-8
Weitere Informationen:
Ursprungsland:
TW
Gewicht:
0.00001 kg
Ausführung:
N-Kanal
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V:
8.5 mΩ
Gate Charge Qg @10V (nC):
32 nC
Gehäuse:
PowerPAK 1212-8
max. Spannung:
60 V
max. Strom:
40 A
max. Temperatur:
150 °C
min. Temperatur:
-55 °C
Montage:
SMD
Verlustleistung W (DC):
52 W
SVHC frei:
Ja
RoHS konform:
Ja
Weitere Suchbegriffe: feldeffekttransistor, Halbleiter, Semiconductor, Aktive Bauelemente, Schalttransistor, Transistor, FET
Die Konditionen im Überblick1
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