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| Artikel-Nr.:
4503-33S2796 Herst.-Nr.:
ZXM61N03FTA EAN/GTIN:
4099879034489 |
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| MOSFET, ZXM61N03FTA, Diodes Diese neue Generation von High-Density-MOSFETs nutzt eine einzigartige Struktur, die die Vorteile eines niedrigen Durchlasswiderstands mit einer hohen Schaltgeschwindigkeit kombiniert. Dies macht sie ideal für hocheffiziente Niederspannungs-Power-Management-Anwendungen. Features * Niedriger Ein-Widerstand * Schnelle Schaltgeschwindigkeit * Niedrige Schwelle * Niedrige Gate-Ansteuerung Weitere Informationen: | | Ausführung: | N-Kanal | Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V: | 220 mΩ | Gate Charge Qg @10V (nC): | 4.1 nC | Gehäuse: | TO-236 | max. Spannung: | 30 V | max. Strom: | 1.4 A | max. Temperatur: | 150 °C | min. Temperatur: | -55 °C | Montage: | SMD | Verlustleistung W (DC): | 806 mW | Ursprungsland: | CN | Gewicht: | 0.001 kg | SVHC frei: | Ja | RoHS konform: | Ja |
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