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| Artikel-Nr.:
822EL-1219597 Herst.-Nr.:
DMC2038LVT-7 EAN/GTIN:
5059043264899 |
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| Channel-Typ = N, P
Dauer-Drainstrom max. = 2,1 A; 5,2 A
Drain-Source-Spannung max. = 20 V
Gehäusegröße = TSOT-26
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 6
Drain-Source-Widerstand max. = 56 mΩ, 168 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 1V
Verlustleistung max. = 1,1 W
Transistor-Konfiguration = Isoliert
Gate-Source Spannung max. = -12 V, +12 V
Breite = 1.65mm
Höhe = 0.9mm
Zweifacher N/P-Kanal-MOSFET, Diodes Inc. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N, P | Dauer-Drainstrom max.: | 2,1 A; 5,2 A | Drain-Source-Spannung max.: | 20 V | Gehäusegröße: | TSOT-26 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 6 | Drain-Source-Widerstand max.: | 56 mO, 168 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 1V | Verlustleistung max.: | 1,1 W | Transistor-Konfiguration: | Isoliert | Gate-Source Spannung max.: | -12 V, +12 V | Breite: | 1.65mm | Höhe: | 0.9mm |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, diodes mosfet, smd transistor, 1219597, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, DiodesZetex, DMC2038LVT7, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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