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| Artikel-Nr.: 822EL-1220208 Herst.-Nr.: DMG4466SSS-13 EAN/GTIN: 5059043032559 |
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| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 10 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Gehäusegröße = SOIC Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 33 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 2.4V Verlustleistung max. = 1,42 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = –25 V, +25 V Betriebstemperatur max. = +150 °C Höhe = 1.5mm
N-Kanal-MOSFET, 30 V, Diodes Inc Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 10 A | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Gehäusegröße: | SOIC | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 33 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.4V | Verlustleistung max.: | 1,42 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | –25 V, +25 V | Betriebstemperatur max.: | +150 °C | Höhe: | 1.5mm |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, diodes mosfet, smd transistor, mosfet 10a, 1220208, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, DiodesZetex, DMG4466SSS13, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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