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| Artikel-Nr.: 822EL-1223273 Herst.-Nr.: DMHC3025LSD-13 EAN/GTIN: 5059043050584 |
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| Channel-Typ = N, P Dauer-Drainstrom max. = 2,5 A; 7,8 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Gehäusegröße = SOIC Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 40 mΩ, 80 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 2V Verlustleistung max. = 1,5 W Transistor-Konfiguration = Vollbrücke Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Breite = 3.95mm Höhe = 1.5mm
MOSFET-H-Brücke mit Complementary Enhancement Mode, Diodes Inc. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N, P | Dauer-Drainstrom max.: | 2,5 A; 7,8 A | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Gehäusegröße: | SOIC | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 40 mO, 80 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2V | Verlustleistung max.: | 1,5 W | Transistor-Konfiguration: | Vollbrücke | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Breite: | 3.95mm | Höhe: | 1.5mm |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, diodes mosfet, smd transistor, 1223273, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, DiodesZetex, DMHC3025LSD13, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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