|  |
| |
| Artikel-Nr.:
822EL-1658875 Herst.-Nr.:
DMG4511SK4-13 EAN/GTIN:
5059043120621 |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N, P
Dauer-Drainstrom max. = 9,3 A; 9,6 A
Drain-Source-Spannung max. = 35 V
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 65 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3V
Verlustleistung max. = 8,9 W
Transistor-Konfiguration = Isoliert
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Breite = 6.2mm
Diodendurchschlagsspannung = 1.2V
Zweifacher N/P-Kanal-MOSFET, Diodes Inc. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N, P | Dauer-Drainstrom max.: | 9,3 A; 9,6 A | Drain-Source-Spannung max.: | 35 V | Gehäusegröße: | DPAK (TO-252) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 65 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3V | Verlustleistung max.: | 8,9 W | Transistor-Konfiguration: | Isoliert | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Breite: | 6.2mm | Diodendurchschlagsspannung: | 1.2V |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: Transistor, diodes mosfet, smd transistor, mosfet dpak, 1658875, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, DiodesZetex, DMG4511SK413, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |