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| Artikel-Nr.:
822EL-1698553 Herst.-Nr.:
2N7000 EAN/GTIN:
5059042163322 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 200 mA
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = TO-92
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 5 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 0.8V
Verlustleistung max. = 400 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Breite = 4.19mm
Höhe = 5.33mm
MOSFET mit erhöhter Leistung, Fairchild Semiconductor. Robuste Stoßentladungstechnologie Robuste Gate-Oxide-Technologie Niedrigere Eingangskapazität Optimierte Gatterladung Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 200 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | TO-92 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 5 O | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.8V | Verlustleistung max.: | 400 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Breite: | 4.19mm | Höhe: | 5.33mm |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, on semiconductor mosfet, feldeffekttransistor, 1698553, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, 2N7000, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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