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| Artikel-Nr.:
822EL-1780802 Herst.-Nr.:
IRFP360PBF EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 23 A
Drain-Source-Spannung max. = 400 V
Gehäusegröße = TO-247AC
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 200 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 280 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Transistor-Werkstoff = Si
Höhe = 20.7mm
N-Kanal MOSFET, 300 V bis 400 V, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 23 A | Drain-Source-Spannung max.: | 400 V | Gehäusegröße: | TO-247AC | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 200 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 280 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Transistor-Werkstoff: | Si | Höhe: | 20.7mm |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet vishay, mosfet, 1780802, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, IRFP360PBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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