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| Artikel-Nr.: 822EL-1780855 Herst.-Nr.: IRF710PBF EAN/GTIN: k.A. |
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| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 2 A Drain-Source-Spannung max. = 400 V Gehäusegröße = TO-220AB Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 3,6Ω Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung min. = 2V Verlustleistung max. = 36 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Breite = 4.7mm Betriebstemperatur min. = –55 °C
N-Kanal MOSFET, 300 V bis 400 V, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 2 A | Drain-Source-Spannung max.: | 400 V | Gehäusegröße: | TO-220AB | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 3,6O | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 36 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Breite: | 4.7mm | Betriebstemperatur min.: | –55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet vishay, mosfet, mosfet to-220ab, 1780855, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, IRF710PBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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