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| Artikel-Nr.:
822EL-1807397 Herst.-Nr.:
SQ2309ES-T1_GE3 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 1,7 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = TO-236
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,5 O
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.5V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = TrenchFET Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 1,7 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | TO-236 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,5 O | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.5V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Serie: | TrenchFET |
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| Weitere Suchbegriffe: 1807397, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SQ2309EST1_GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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