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Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -1,7A; Idm: -6,8A


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Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-SQ2309ES-T1-GE3
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SQ2309ES-T1_GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet vishay
mosfet
Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Gehäuse: SOT23
Drain-Source Spannung: -60V
Drainstrom: -1,7A
Widerstand im Leitungszustand: 704mΩ
Transistor-Typ: P-MOSFET
Verlustleistung: 2W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 8,5nC
Technologie: TrenchFET®
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: -6,8A
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