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| Artikel-Nr.:
822EL-263857 Herst.-Nr.:
ZVN2106A EAN/GTIN:
5059043928968 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 450 mA
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = E-Line
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 2 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.4V
Verlustleistung max. = 700 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Transistor-Werkstoff = Si
Betriebstemperatur min. = -55 °C
N-Kanal-MOSFET, 40 V bis 90 V, Diodes Inc Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 450 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | E-Line | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 2 O | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.4V | Verlustleistung max.: | 700 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Transistor-Werkstoff: | Si | Betriebstemperatur min.: | -55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: diodes mosfet, mosfet, 263857, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, DiodesZetex, ZVN2106A, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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