Vishay IRF640SPBF N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 18 A 130 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 18 A
Drain-Source-Spannung max. = 200 V
Gehäusegröße = D2PAK (TO-263)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 180 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 130 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 70 nC @ 10 V
Betriebstemperatur min. = -55 °C

N-Kanal MOSFET, 200 V bis 250 V, Vishay Semiconductor