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Vishay IRFS9N60APBF N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 9,2 A 170 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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Produktinformationen

Vishay IRFS9N60APBF N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 9,2 A 170 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

Artikel-Nr.:
822EL-5429995

Hersteller:
Vishay

Herst.-Nr.:
IRFS9N60APBF

EAN/GTIN:
5059040908369

Suchbegriffe:

MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet vishay
mosfet

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 9,2 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Gehäusegröße = D2PAK (TO-263)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 750 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 170 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 49 nC @ 10 V
Betriebstemperatur min. = -55 °C

N-Kanal MOSFET, 600 V bis 1000 V, Vishay Semiconductor

Weitere Informationen:


Channel-Typ:	N
Dauer-Drainstrom max.:	9,2 A
Drain-Source-Spannung max.:	600 V
Gehäusegröße:	D2PAK (TO-263)
Montage-Typ:	SMD
Pinanzahl:	3
Drain-Source-Widerstand max.:	750 mO
Channel-Modus:	Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.:	2V
Verlustleistung max.:	170 W
Transistor-Konfiguration:	Einfach
Gate-Source Spannung max.:	-30 V, +30 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs:	49 nC @ 10 V
Betriebstemperatur min.:	-55 °C

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Weitere Suchbegriffe: mosfet d2pak, 5429995, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, IRFS9N60APBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs

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