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| Artikel-Nr.: 822EL-6504110 Herst.-Nr.: IRF830ASPBF EAN/GTIN: 5059040915589 |
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| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 5 A Drain-Source-Spannung max. = 500 V Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 1,4 Ω Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung min. = 2V Verlustleistung max. = 3,1 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Länge = 10.67mm Höhe = 4.83mm
N-Kanal MOSFET, 500 V, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 5 A | Drain-Source-Spannung max.: | 500 V | Gehäusegröße: | D2PAK (TO-263) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 1,4 O | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 3,1 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -30 V, +30 V | Länge: | 10.67mm | Höhe: | 4.83mm |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet vishay, smd transistor, 6504110, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, IRF830ASPBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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