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STMicroelectronics STripFET II STB55NF06T4 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 50 A 110 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)


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STMicroelectronics STripFET II STB55NF06T4 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 50 A 110 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
Artikel-Nr.:
     822EL-6875197
Hersteller:
     ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
     STB55NF06T4
EAN/GTIN:
     5059042984415
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 50 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = D2PAK (TO-263)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 18 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 110 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 44,5 nC bei 10 V
Serie = STripFET II

N-Kanal STripFET™ II, STMicroelectronics. STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand.
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
50 A
Drain-Source-Spannung max.:
60 V
Gehäusegröße:
D2PAK (TO-263)
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
18 mO
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
4V
Gate-Schwellenspannung min.:
2V
Verlustleistung max.:
110 W
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
-20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs:
44,5 nC bei 10 V
Serie:
STripFET II
Weitere Suchbegriffe: Transistor, stm mosfet, smd transistor, mosfet d2pak, 6875197, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STB55NF06T4, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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