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| Artikel-Nr.: 822EL-7084800 Herst.-Nr.: IRFP23N50LPBF EAN/GTIN: 5059040886971 |
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| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 23 A Drain-Source-Spannung max. = 500 V Gehäusegröße = TO-247AC Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 235 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung min. = 3V Verlustleistung max. = 370000 mW Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Gate-Ladung typ. @ Vgs = 150 nC @ 10 V Höhe = 20.7mm
N-Kanal MOSFET, 500 V, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 23 A | Drain-Source-Spannung max.: | 500 V | Gehäusegröße: | TO-247AC | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 235 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 3V | Verlustleistung max.: | 370000 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -30 V, +30 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 150 nC @ 10 V | Höhe: | 20.7mm |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet vishay, mosfet, 7084800, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, IRFP23N50LPBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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