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| Artikel-Nr.: 822EL-7515348 Herst.-Nr.: ZXMHC6A07N8TC EAN/GTIN: 5059043418827 |
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| Channel-Typ = N, P Dauer-Drainstrom max. = 1,4 A; 1,8 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = SOIC Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 350 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 3V Verlustleistung max. = 1,36 W Transistor-Konfiguration = Vollbrücke Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Gate-Ladung typ. @ Vgs = 3,2 nC @ 10 V, 5,1 nC @ 10 V Betriebstemperatur min. = -55 °C
MOSFET-H-Brücke mit Complementary Enhancement Mode, Diodes Inc. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N, P | Dauer-Drainstrom max.: | 1,4 A; 1,8 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | SOIC | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 350 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3V | Verlustleistung max.: | 1,36 W | Transistor-Konfiguration: | Vollbrücke | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 3,2 nC @ 10 V, 5,1 nC @ 10 V | Betriebstemperatur min.: | -55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, diodes mosfet, smd transistor, 7515348, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, DiodesZetex, ZXMHC6A07N8TC, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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