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onsemi UniFET FDB52N20TM N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 52 A 357 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)


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Produktinformationen
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onsemi UniFET FDB52N20TM N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 52 A 357 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
Artikel-Nr.:
     822EL-7598983
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     FDB52N20TM
EAN/GTIN:
     5059042921946
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 52 A
Drain-Source-Spannung max. = 200 V
Gehäusegröße = D2PAK (TO-263)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 49 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 357 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 49 nC @ 10 V
Höhe = 4.572mm

N-Kanal-MOSFET, Anreicherungstyp, Fairchild Semiconductor. Feldeffekttransistoren im Erweiterungsmodus (FET) werden mit der proprietären DMOS-Technologie von Fairchild mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser hohe Verdichtungsprozess wurde für eine Minimierung des Durchlasswiderstands und die Bereitstellung robuster und zuverlässiger Leistung sowie schneller Schaltvorgänge konzipiert.
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
52 A
Drain-Source-Spannung max.:
200 V
Gehäusegröße:
D2PAK (TO-263)
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
49 mO
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.:
3V
Verlustleistung max.:
357 W
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
-30 V, +30 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs:
49 nC @ 10 V
Höhe:
4.572mm
Weitere Suchbegriffe: Transistor, on semiconductor mosfet, smd transistor, 7598983, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, FDB52N20TM, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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