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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 52A; 357W; D2PAK

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Produktinformationen

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 52A; 357W; D2PAK

Artikel-Nr.:
8WUGW-FDB52N20TM

Hersteller:
onsemi

Herst.-Nr.:
FDB52N20TM

EAN/GTIN:
k.A.

Suchbegriffe:

MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor

Hersteller: ONSEMI
Montage: SMD
Gehäuse: D2PAK
Drain-Source Spannung: 200V
Drainstrom: 52A
Widerstand im Leitungszustand: 49mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 357W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 63nC
Technologie: UniFET™
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±30V

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Weitere Suchbegriffe: Transistor, on semiconductor mosfet, smd transistor

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