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Vishay SIHG20N50C-E3 N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 20 A 250 W, 3-Pin TO-247AC


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Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     822EL-8141266
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SIHG20N50C-E3
EAN/GTIN:
     5059040645554
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 20 A
Drain-Source-Spannung max. = 500 V
Gehäusegröße = TO-247AC
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 270 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 250 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur min. = -55 °C

N-Kanal MOSFET, 500 V, Vishay Semiconductor
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
20 A
Drain-Source-Spannung max.:
500 V
Gehäusegröße:
TO-247AC
Montage-Typ:
THT
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
270 mO
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.:
3V
Verlustleistung max.:
250 W
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
-30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip:
1
Betriebstemperatur min.:
-55 °C
Weitere Suchbegriffe: mosfet vishay, mosfet, 8141266, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SIHG20N50CE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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