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Vishay SI5935CDC-T1-GE3 P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 3,8 A 3,1 W, 8-Pin 1206 ChipFET


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     822EL-8181352
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SI5935CDC-T1-GE3
EAN/GTIN:
     5059040741263
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet vishay
mosfet
Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 3,8 A
Drain-Source-Spannung max. = 20 V
Gehäusegröße = 1206 ChipFET
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 156 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 0.4V
Verlustleistung max. = 3,1 W
Transistor-Konfiguration = Isoliert
Gate-Source Spannung max. = –8 V, +8 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Betriebstemperatur min. = -55 °C

Zweifach-P-Kanal-MOSFET, Vishay Semiconductor
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
P
Dauer-Drainstrom max.:
3,8 A
Drain-Source-Spannung max.:
20 V
Gehäusegröße:
1206 ChipFET
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
8
Drain-Source-Widerstand max.:
156 mO
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.:
0.4V
Verlustleistung max.:
3,1 W
Transistor-Konfiguration:
Isoliert
Gate-Source Spannung max.:
–8 V, +8 V
Anzahl der Elemente pro Chip:
2
Betriebstemperatur min.:
-55 °C
Weitere Suchbegriffe: 8181352, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SI5935CDCT1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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