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Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -4A; Idm: -10A; 2W; ChipFET


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Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8WUGW-SI5935CDC-T1-GE3
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SI5935CDC-T1-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet vishay
mosfet
Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Gehäuse: ChipFET
Drain-Source Spannung: -20V
Drainstrom: -4A
Widerstand im Leitungszustand: 0,1Ω
Transistor-Typ: P-MOSFET x2
Verlustleistung: 2W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 11nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±8V
Drainstrom im Impuls: -10A
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