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| Artikel-Nr.:
822EL-8270030 Herst.-Nr.:
BSS214NWH6327XTSA1 EAN/GTIN:
5059043029788 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 1,5 A
Drain-Source-Spannung max. = 20 V
Gehäusegröße = SOT-323
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 250 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 1.2V
Gate-Schwellenspannung min. = 0.7V
Verlustleistung max. = 500 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -12 V, +12 V
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Betriebstemperatur min. = -55 °C
OptiMOS™ Kleinsignal-MOSFETs von Infineon Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 1,5 A | Drain-Source-Spannung max.: | 20 V | Gehäusegröße: | SOT-323 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 250 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 1.2V | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.7V | Verlustleistung max.: | 500 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -12 V, +12 V | Betriebstemperatur max.: | +150 °C | Betriebstemperatur min.: | -55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: Schalttransistor, Transistor, mosfet infineon, feldeffekttransistor, 8270030, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, BSS214NWH6327XTSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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