|  |
| |
| Artikel-Nr.:
822EL-841306 Herst.-Nr.:
ZVN4310A EAN/GTIN:
5059043890036 |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 900 mA
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = E-Line
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 500 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3V
Verlustleistung max. = 850 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur min. = -55 °C
N-Kanal-MOSFET, 100 V bis 950 V, Diodes Inc. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 900 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Gehäusegröße: | E-Line | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 500 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3V | Verlustleistung max.: | 850 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur min.: | -55 °C |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: diodes mosfet, mosfet, 841306, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, DiodesZetex, ZVN4310A, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |