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| Artikel-Nr.:
822EL-9114868 Herst.-Nr.:
IPB320N20N3GATMA1 EAN/GTIN:
5059043256818 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 34 A
Drain-Source-Spannung max. = 200 V
Gehäusegröße = D2PAK (TO-263)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 32 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 136 W
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Betriebstemperatur max. = +175 °C
Serie = OptiMOS 3
Leistungs-MOSFET Infineon OptiMOS™3, 100 V und mehr Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 34 A | Drain-Source-Spannung max.: | 200 V | Gehäusegröße: | D2PAK (TO-263) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 32 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 136 W | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Betriebstemperatur max.: | +175 °C | Serie: | OptiMOS 3 |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet infineon, smd transistor, mosfet d2pak, 9114868, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPB320N20N3GATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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