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| Artikel-Nr.:
822EL-9211063 Herst.-Nr.:
DMN2022UFDF-7 EAN/GTIN:
5059043410920 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 9,4 A
Drain-Source-Spannung max. = 20 V
Gehäusegröße = U-DFN2020
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 6
Drain-Source-Widerstand max. = 50 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 1V
Gate-Schwellenspannung min. = 0.5V
Verlustleistung max. = 2,03 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –8 V, +8 V
Breite = 2.05mm
Betriebstemperatur min. = –55 °C
N-Kanal-MOSFET, 12 V bis 28 V, Diodes Inc. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 9,4 A | Drain-Source-Spannung max.: | 20 V | Gehäusegröße: | U-DFN2020 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 6 | Drain-Source-Widerstand max.: | 50 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 1V | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.5V | Verlustleistung max.: | 2,03 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | –8 V, +8 V | Breite: | 2.05mm | Betriebstemperatur min.: | –55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, diodes mosfet, smd transistor, 9211063, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, DiodesZetex, DMN2022UFDF7, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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