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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0,27A; Idm: 3A; 0,625W; TO92


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0,27A; Idm: 3A; 0,625W; TO92
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0,27A; Idm: 3A; 0,625W; TO92
Artikel-Nr.:
     8WUGW-BS170P
Hersteller:
     Diodes
Herst.-Nr.:
     BS170P
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Montage: THT
Gehäuse: TO92
Drain-Source Spannung: 60V
Drainstrom: 0,27A
Widerstand im Leitungszustand: 5Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 0,625W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: unverpackt
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 3A
Die Konditionen im Überblick1
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