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Transistor: P-MOSFET; unipolar; -45V; -0,09A; Idm: -1,6A; 0,33W

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Produktinformationen

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -45V; -0,09A; Idm: -1,6A; 0,33W

Artikel-Nr.:
8WUGW-BS250FTA

Hersteller:
Diodes

Herst.-Nr.:
BS250FTA

EAN/GTIN:
k.A.

Suchbegriffe:

Feldeffekttransistor
MOSFET
MOSFET-Transistor
diodes mosfet

Hersteller: DIODES INCORPORATED
Montage: SMD
Gehäuse: SOT23
Drain-Source Spannung: -45V
Drainstrom: -0,09A
Widerstand im Leitungszustand: 14Ω
Transistor-Typ: P-MOSFET
Verlustleistung: 0,33W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: -1,6A

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Weitere Suchbegriffe: feldeffekttransistor, mosfet sot23-3

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