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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7,6A; Idm: 80A; 1,25W


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-DMN3013LDG-7
Hersteller:
     Diodes
Herst.-Nr.:
     DMN3013LDG-7
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Montage: SMD
Gehäuse: PowerDI3333-8
Drain-Source Spannung: 30V
Drainstrom: 7,6A
Widerstand im Leitungszustand: 17,7mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 1,25W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle 7 Zoll
Gate-Ladung: 5,7nC
Kanal-Art: anreicherungs
Gate-Source Spannung: ±10V
Drainstrom im Impuls: 80A
Weitere Suchbegriffe: Transistor, diodes mosfet, smd transistor
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