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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8A; Idm: 50A; 0,47W


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Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8WUGW-DMN3016LFDF-7
Hersteller:
     Diodes
Herst.-Nr.:
     DMN3016LFDF-7
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Montage: SMD
Gehäuse: U-DFN2020-6
Drain-Source Spannung: 30V
Drainstrom: 8A
Widerstand im Leitungszustand: 16mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 0,47W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 25,1nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 50A
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