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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7A; Idm: 60A; 2,2W


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-DMN3018SFGQ-13
Hersteller:
     Diodes
Herst.-Nr.:
     DMN3018SFGQ-13
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Montage: SMD
Gehäuse: PowerDI3333-8
Drain-Source Spannung: 30V
Drainstrom: 7A
Widerstand im Leitungszustand: 35mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Anwendung: Automobilbranche
Verlustleistung: 2,2W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle 13 Zoll
Gate-Ladung: 13,2nC
Kanal-Art: anreicherungs
Gate-Source Spannung: ±25V
Drainstrom im Impuls: 60A
Weitere Suchbegriffe: Transistor, diodes mosfet, smd transistor
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