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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5,8A; Idm: 60A; 1,1W; SO8


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5,8A; Idm: 60A; 1,1W; SO8
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5,8A; Idm: 60A; 1,1W; SO8
Artikel-Nr.:
     8WUGW-DMN3018SSS-13
Hersteller:
     Diodes
Herst.-Nr.:
     DMN3018SSS-13
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Montage: SMD
Gehäuse: SO8
Drain-Source Spannung: 30V
Drainstrom: 5,8A
Widerstand im Leitungszustand: 35mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 1,1W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 13,2nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±25V
Drainstrom im Impuls: 60A
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