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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 200mA; Idm: 2A; 470mW; SOT23


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Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8WUGW-DMN30H4D0L-7
Hersteller:
     Diodes
Herst.-Nr.:
     DMN30H4D0L-7
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Montage: SMD
Gehäuse: SOT23
Drain-Source Spannung: 300V
Drainstrom: 0,2A
Widerstand im Leitungszustand:
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 0,47W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle 7 Zoll
Gate-Ladung: 7,6nC
Kanal-Art: anreicherungs
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 2A
Weitere Suchbegriffe: Transistor, diodes mosfet, smd transistor
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