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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; Idm: 30A; 1,4W; SOT23


Menge:  Packung  
Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; Idm: 30A; 1,4W; SOT23
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; Idm: 30A; 1,4W; SOT23
Artikel-Nr.:
     8WUGW-DMN3404LQ-7
Hersteller:
     Diodes
Herst.-Nr.:
     DMN3404LQ-7
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Montage: SMD
Gehäuse: SOT23
Drain-Source Spannung: 30V
Drainstrom: 4A
Widerstand im Leitungszustand: 95mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 1,4W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 16nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 30A
Die Konditionen im Überblick1
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