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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0,3A; Idm: 0,5A; 0,52W; SOT23


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Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0,3A; Idm: 0,5A; 0,52W; SOT23
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0,3A; Idm: 0,5A; 0,52W; SOT23
Artikel-Nr.:
     8WUGW-DMN53D0U-7
Hersteller:
     Diodes
Herst.-Nr.:
     DMN53D0U-7
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Montage: SMD
Gehäuse: SOT23
Drain-Source Spannung: 50V
Drainstrom: 0,3A
Widerstand im Leitungszustand:
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 0,52W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Eigenschaften von Halbleiterelementen: ESD protected gate
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±12V
Drainstrom im Impuls: 0,5A
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