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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3,42A; 158W; D2PAK


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Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3,42A; 158W; D2PAK
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3,42A; 158W; D2PAK
Artikel-Nr.:
     8WUGW-FQB5N90TM
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     FQB5N90TM
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: ONSEMI
Montage: SMD
Gehäuse: D2PAK
Drain-Source Spannung: 900V
Drainstrom: 3,42A
Widerstand im Leitungszustand: 2,3Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 158W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 40nC
Technologie: QFET®
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±30V
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