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IC: driver; MOSFET Halbbrücke; SO8; -2,3÷1,9A; 625mW; Ch: 2; 600V


Menge:  Stück  
Produktinformationen
IC: driver; MOSFET Halbbrücke; SO8; -2,3÷1,9A; 625mW; Ch: 2; 600V
IC: driver; MOSFET Halbbrücke; SO8; -2,3÷1,9A; 625mW; Ch: 2; 600V
Artikel-Nr.:
     8WUGW-IR2184SPBF
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IR2184SPBF
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Montage: SMD
Betriebstemperatur: -40...125°C
Gehäuse: SO8
Leistung: 625mW
Versorgungsspannung: 10...20V DC
Anschaltzeit: 680ns
Ausschaltzeit: 270ns
Ausgangsstrom: -2,3...1,9A
Integrierten Schaltkreises-Typ: driver
Anzahl Kanäle: 2
Eigenschafte integrierter Schaltkreise: Ladungspumpe;Totzeit;integrated bootstrap functionality
Verpackungs-Art: Tube
Sicherung: Kurzschlussschutz SCP;Unterspannung UVP
Integrierten Schaltkreises-Art: high-/low-side;Steuerung für Gates
Topologie: MOSFET Halbbrücke
Spannungsklasse: 600V
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