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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; 43W; D2PAK,TO263


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Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; 43W; D2PAK,TO263
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; 43W; D2PAK,TO263
Artikel-Nr.:
     8WUGW-IRF510SPBF
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     IRF510SPBF
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
mosfet vishay
Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Gehäuse: D2PAK;TO263
Drain-Source Spannung: 100V
Drainstrom: 4A
Widerstand im Leitungszustand: 0,54Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 43W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 8,3nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Weitere Suchbegriffe: smd transistor, mosfet d2pak
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