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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 125W; TO220AB


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Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 125W; TO220AB
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 125W; TO220AB
Artikel-Nr.:
     8WUGW-IRFBG30PBF
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     IRFBG30PBF
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: VISHAY
Montage: THT
Gehäuse: TO220AB
Drain-Source Spannung: 1kV
Drainstrom: 2A
Widerstand im Leitungszustand:
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 125W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 80nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
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Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.