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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1,8A; 1,3W; DIP4

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Produktinformationen

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1,8A; 1,3W; DIP4

Artikel-Nr.:
8WUGW-IRFD024PBF

Hersteller:
Vishay

Herst.-Nr.:
IRFD024PBF

EAN/GTIN:
k.A.

Suchbegriffe:

Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor

Hersteller: VISHAY
Montage: THT
Gehäuse: DIP4
Drain-Source Spannung: 60V
Drainstrom: 1,8A
Widerstand im Leitungszustand: 0,1Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 1,3W
Polarisierung: unipolar
Gate-Ladung: 25nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V

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Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet vishay, leistungs-mosfet

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