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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3,2A; 110W; DPAK,TO252


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Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3,2A; 110W; DPAK,TO252
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3,2A; 110W; DPAK,TO252
Artikel-Nr.:
     8WUGW-IRFR430APBF
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     IRFR430APBF
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Gehäuse: DPAK;TO252
Drain-Source Spannung: 500V
Drainstrom: 3,2A
Widerstand im Leitungszustand: 1,7Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 110W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 24nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±30V
Die Konditionen im Überblick1
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Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.