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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0,94A; 1,3W; DIP4

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Stück

Produktinformationen

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0,94A; 1,3W; DIP4

Artikel-Nr.:
8WUGW-IRLD120PBF

Hersteller:
Vishay

Herst.-Nr.:
IRLD120PBF

EAN/GTIN:
k.A.

Suchbegriffe:

Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor

Hersteller: VISHAY
Montage: THT
Gehäuse: DIP4
Drain-Source Spannung: 100V
Drainstrom: 0,94A
Widerstand im Leitungszustand: 0,38Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 1,3W
Polarisierung: unipolar
Gate-Ladung: 12nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±10V

... > FET-Transistoren > N-Kanal-Transistoren > N-Kanal-Transistoren THT

Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet vishay, leistungs-mosfet, mosfet 1,3 a

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