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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3,5A; 0,8W; SOT23

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Produktinformationen

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3,5A; 0,8W; SOT23

Artikel-Nr.:
8WUGW-SI2306BDS-T1-E3

Hersteller:
Vishay

Herst.-Nr.:
SI2306BDS-T1-E3

EAN/GTIN:
k.A.

Suchbegriffe:

Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor

Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Gehäuse: SOT23
Drain-Source Spannung: 30V
Drainstrom: 3,5A
Widerstand im Leitungszustand: 65mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 0,8W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 4,5nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V

... > FET-Transistoren > N-Kanal-Transistoren > N-Kanal-Transistoren SMD

Weitere Suchbegriffe: Schalttransistor, Transistor, mosfet vishay, smd transistor

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