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Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30/-30V; 2,5/-1,8A


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Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8WUGW-SI3552DV-T1-E3
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SI3552DV-T1-E3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Gehäuse: TSOP6
Drain-Source Spannung: 30/-30V
Drainstrom: 2,5/-1,8A
Widerstand im Leitungszustand: 360/175mΩ
Transistor-Typ: N/P-MOSFET
Verlustleistung: 1,15W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 3,6/3,2nC
Technologie: TrenchFET®
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: -7...8A
Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet vishay, smd transistor
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