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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 9,9A; 6W; SO8

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Produktinformationen

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 9,9A; 6W; SO8

Artikel-Nr.:
8WUGW-SI4840BDY-E3

Hersteller:
Vishay

Herst.-Nr.:
SI4840BDY-T1-E3

EAN/GTIN:
k.A.

Suchbegriffe:

MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor

Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Gehäuse: SO8
Drain-Source Spannung: 40V
Drainstrom: 9,9A
Widerstand im Leitungszustand: 12mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 6W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 50nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V

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Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet vishay, smd transistor

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