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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 8,5A; Idm: 40A

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Produktinformationen

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Artikel-Nr.:
8WUGW-SI4850EY-T1-E3

Hersteller:
Vishay

Herst.-Nr.:
SI4850EY-T1-E3

EAN/GTIN:
k.A.

Suchbegriffe:

MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor

Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Gehäuse: SO8
Drain-Source Spannung: 60V
Drainstrom: 8,5A
Widerstand im Leitungszustand: 47mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 3,3W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 27nC
Technologie: TrenchFET®
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 40A

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Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet vishay, smd transistor

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